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      电路设计中三极管和MOS管做开关用时有什么区别呢?

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      电路设计中三极管和MOS管做开关用时有什么区别呢?

      2021-08-12 22:37:13

      在电路设计中用作开关时,晶体管和MOS晶体管有什么区别?工作性质:


      1 、三极管采用电流控制 ,MOS管属于电压控制 。


      2 、成本问题:三极管便宜 ,MOS管贵。


      3 、功耗问题 :三极管损耗大。


      4、驱动能力:MOS管常用于功率开关和大电流局部开关电路 。


      事实上,三极管相对便宜且易于使用 ,常用于数字电路的开关控制。



      MOS管用于高频和高速电路、大电流条件以及对基极或漏极控制电流敏感的位置。


      一般来说 ,在低成本的情况下 ,一般应用首先考虑使用三极管。如果不是,考虑MOS管。


      事实上,说电流控制慢 ,电压控制快是错误的 。您确实需要了解双极晶体管和 MOS 晶体管的工作原理 。三极管由载体的运动操作。以npn管的射极跟随器为例。当基极不加电压时 ,由基极和发射极组成的pn结阻止多个电子(基极是空穴) 。 ) ,发射区是电子的扩散运动 。从发射区到基区的静电场(即内建电场)在这个 pn 结处被感应。当向基极施加正电压时,基极区指向发射区。如果施加在基极上的电压产生的电场大于内置电场 ,则基区中的载流子(电子)可以从基区流向发射区。 ..这个电压的小值是pn结的正向导通电压(工程上一般考虑0.7v)。


      然而,此时,每个pn结的两侧都会产生电荷。此时,当对集电极-发射极施加正电压时 ,由于电场的作用,发射极区的电子向基极区移动(实际上是电子向相反方向移动),宽度基区狭窄,电子可以很容易地穿过基区到达集电极区 ,在那里它们可以与PN中的空穴复合(电子加速外集电极的运动,空穴在pn结中运动。这个过程类似于雪崩过程 。


      集电极中的电子通过电源返回发射极,这就是晶体管的工作原理。当三极管工作时,两个 pn 结都会感应电荷 。当开关打开时,三极管饱和。如果此时三极管关断  ,pn 结感应的电荷应返回a 。一个平衡良好的状态。这个过程需要时间。 MOS管有不同的工作模式,没有恢复时间 ,所以可以用作高速开关管 。


      (1)场效应管是电压控制元件,晶体管是电流控制元件。当从信号源汲取的电流较低时应使用 FET,而在信号电压较低且从信号源汲取的电流较高时应使用晶体管。


      (2)场效应晶体管之所以称为单极器件 ,是因为它们使用大量的载流子来导电,并且同时使用大量的载流子和少量的载流子来导电。这称为双极器件 。


      (3)部分场效应管的源漏可以互换使用 ,栅极电压也可以正负 ,比晶体管更灵活 。


      (4)场效应晶体管可以在非常小的电流和低电压条件下工作 ,在制造过程中可以很容易地将许多场效应晶体管集成在一个硅芯片上,因此场效应晶体管被大规模集成。电路中使用。二手。


      (5)场效应晶体管由于具有输入阻抗高 、噪声低等优点 ,被广泛应用于各种电子设备中。尤其是采用场效应管作为整个电子设备的输入级,可以获得普通晶体管难以达到的性能。


      (6)场效应晶体管分为结型和绝缘栅型,控制原理相同 。


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