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      电路设计三极管和MOS管做开关用时有什么区别?

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      电路设计三极管和MOS管做开关用时有什么区别?

      2019-08-19 00:00:00
      电路设计三极管和MOS管做开关用时有什么区别?
      详细介绍 :

      在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质 :


      1、三极管用电流控制  ,MOS管属于电压控制 。


      2、成本问题:三极管便宜,MOS管贵。


      3 、功耗问题 :三极管损耗大。


      4、驱动能力:MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。


      实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。


      MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。


      一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管 。


      实际上说电流控制慢 ,电压控制快这种理解是不对的 。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的 ,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动 ,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区 ,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时 ,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。


      但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时如果集电极-发射极加正电压 ,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动) ,由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动 ,此过程类似一个雪崩过程。


      集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理  。三极管工作时 ,两个pn结都会感应出电荷 ,当做开关管处于导通状态时 ,三极管处于饱和状态 ,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同,没有这个恢复时间 ,因此可以用作高速开关管 。


      (1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下 ,应选用场效应管;而在信号电压较低 ,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。


      (2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电 。被称之为双极型器件。


      (3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。


      (4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上 ,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。


      (5)场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能 。


      (6)场效应管分成结型和绝缘栅型两大类 ,其控制原理都是一样的。



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